SK 海力士 375 层 3D NAND 年底量产，改用新材料优化性能

据韩国媒体消息，SK 海力士已完成375 层 3D NAND 闪存的生产验证工作，这条新一代产品产线将在今年年底前正式投入量产。

本次量产无需新建厂区，企业将对清州 M15 工厂现有产线进行改造升级。该厂区目前主要生产 176 层、238 层、321 层闪存产品，改造完成后将专攻 375 层新品生产。

这款产品最初规划为 400 层架构，受通道孔蚀刻等超高层堆叠工艺限制，最终调整为375 层。按照技术规划，SK 海力士后续还会持续迭代，陆续推出 480 层、604 层更高堆叠规格的 3D NAND 产品。

此次技术升级的核心亮点，是用钼（Mo） 替代部分传统钨（W） 材料制作字线。在 3D NAND 结构里，金属栅电极也就是字线，长期以钨为主要原料。当堆叠层数不断增加、线路持续微缩后，钨材质电阻偏高，会拖慢信号传输，同时钨工艺需要额外增设阻挡层，叠加后会占用芯片内部空间。

改用钼材料后，同等尺寸下电阻更低，能够提升数据读写速度，且无需额外阻挡层，有效提升整体存储密度。不过钼前驱体常温下为固态，生产过程需要专用设备高温加热，对制程管控和生产设备都提出了严苛要求。

放眼行业，三星早在 2024 年 4 月量产的 286 层 3D NAND 中，就已经将钼应用在金属布线环节，其规划的 400 层以上新一代产品也将进一步扩大该材料的使用范围。在沉积设备选型上，三星采用泛林集团单片式设备，而 SK 海力士敲定TEL 炉式设备，该机型可同时处理上百片晶圆，在采购成本、占地空间和材料消耗上更具优势。

材料供应链方面，液化空气集团、英特格瑞斯、默克将为 SK 海力士供应钼相关材料。韩国本土企业 SK Specialty 也有意入局，目前双方正协商借助液化空气的供应体系开展合作。

随着多层堆叠 3D NAND 普及，市场对钼材料的需求快速攀升。数据显示，三星去年钼采购量约 4 吨，今年预计增至 10 吨，2030 年有望达到 80 吨；SK 海力士从明年开始大规模导入钼工艺，初期年采购量约 4 吨。

当下存储行业不再盲目扩张产能，发展思路转向盈利导向。SK 海力士也调整了 NAND 业务策略，不再新增产能，逐步减少低层数产品产出，加大 375 层高端闪存生产，以此提升单位比特效率，压缩整体生产成本。

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